Ученые создают новый тип памяти с большой емкостью

Исследователи из Национального института материаловедения в Японии создали устройство, которое может хранить информацию, используя как оптические, так и электрические сигналы, сообщает kratko-news.com.

В наши дни без флэш-памяти не обойтись. Плотность записи информации на этих носителях значительно увеличилась за последние 20 лет. Однако для новых приложений требуются носители еще большей плотности.

Текущий подход к увеличению памяти и энергоэффективности за счет обработки кремниевых пластин вот-вот достигнет своего полного потенциала. Поэтому ученые со всего мира пытаются создать запоминающие устройства с другим принципом действия.

Авторы нового исследования, опубликованного в журнале Advanced Functional Materials, разработали устройство с транзисторной памятью, состоящее из двумерных материалов, таких как дисульфид рения (ReS2), гексагональный нитрид бора и графен. Первый материал обладает полупроводниковыми свойствами и используется в полевых транзисторах, второй используется как изолирующий слой, а третий действует как плавающий затвор.

Устройство, созданное учеными, записывает данные, храня носители заряда в плавающем затворе, аналогично обычной флеш-памяти. Пары дырок и электронов в слое ReS2 склонны к возбуждению при облучении светом. Количество этих пар можно регулировать, изменяя интенсивность света.

Исследователи смогли создать механизм, который позволяет постепенно уменьшать количество заряда в графеновом слое, поскольку электроны соединяются с дырками и количество пар уменьшается. Благодаря такому механизму получается комбинированный тип памяти, который может эффективно контролировать количество накопленного заряда.

Кроме того, новое устройство отличается высокой энергоэффективностью с минимальными электрическими потерями. Это достигается путем наложения слоев двухмерных материалов друг на друга и сглаживания границ между ними на атомарном уровне.