Samsung и IBM преодолели физический барьер в 1 нм для производства микропроцессоров

IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в разработке полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — микросхемы, в которых некоторые компоненты расположены перпендикулярно друг другу, сообщает kratko-news.com. 

Уже на первом этапе разработки такой системе удалось удвоить эффективность микросхем или снизить потребление энергии на 85%. По заявлению IBM, такая технология сможет обойти закон Мура и создать смартфоны, которые смогут работать в течение недели без подзарядки.

Совместная работа IBM и Samsung называется «Вертикальные транспортные полевые транзисторы» (VTFET). Эта система радикально отличается от существующих моделей, в которых транзисторы расположены на кремниевой пластине рядом друг с другом, а электрический ток течет по сторонам. Конструкция VTFET многослойна — в таких процессорах транзисторы расположены как рядом, так и друг над другом, а ток течет вертикально.

Дизайн IBM и Samsung дает заказчикам два ключевых преимущества. Во-первых, это позволит избежать многих ограничений производительности и расширить закон Мура за пределы современной технологии наночастиц. Совместное исследование IBM и Samsung показало, что даже тестовые образцы удваивают вычислительный потенциал будущих процессоров. А еще они могут снизить энергопотребление чипов на 85%.

Инженеры ИТ-гиганта отметили, что смартфоны и другая электроника на базе VTFET смогут работать без подзарядки всю неделю. Кроме того, IBM считает, что новая технология может быть полезна при добыче криптовалют, тем самым снижая их потребности в энергии и, следовательно, их воздействие на окружающую среду.

Помимо Samsung и IBM, аналогичные чипы разрабатывает корпорация Intel. В недавнем исследовании технологического прогресса после 2025 года аналитики Intel объявили, что крупнейшие ИТ-компании скоро перейдут на 3D-чипы, создание которых будет более сложным и дорогостоящим, но сама технология будет несравненно более эффективной.

Ранее в этом году инженеры Массачусетского технологического института, Тайваньского национального университета (NTU) и TSMC также заявили, что готовы обойти закон Мура. Международная группа разработала процесс с использованием полуметаллического висмута, который можно использовать для производства полупроводников с использованием процесса 1 нм. Ранние испытания технологии еще продолжаются, но авторы уже обещают четырехкратное повышение производительности практически всей электроники.