-
Samsung и IBM преодолели физический барьер в 1 нм для производства микропроцессоров
14/12/2021 11:11 / Новое, Технологии, ТОПIBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в разработке полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — микросхемы, в которых некоторые компоненты расположены перпендикулярно друг другу, сообщает kratko-news.com. Уже на первом этапе разработки такой системе удалось удвоить эффективность микросхем или снизить потребление энергии на 85%. По заявлению IBM, такая технология сможет обойти закон Мура и создать
Подробнее